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生产碳化硅
生产碳化硅
2020-04-15T14:04:46+00:00
碳化硅产品的应用方向和生产过程 知乎
2022年3月7日 本文主要介绍碳化硅产品的应用方向和生产过程。 应用方向 车载领域，功率器件主要用在DCDC、OBC、电机逆变器、电动空调逆变器、无线充电等需要AC/DC快 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。 碳化硅在大自然也存在罕见的矿 碳化硅百度百科2022年7月17日 目前中国工业生产的碳化硅分为黑碳化硅和绿碳化硅两种，都属于α碳化硅。 其中黑碳化硅含SiC约95%，其韧性高于绿碳化硅，大多用于加工抗张强度低的材 预见2022：《2022年中国碳化硅行业全景图谱》(附市场规模
国内碳化硅半导体企业大盘点 知乎
2020年4月5日 作为国内唯一一家碳化硅研发生产和平台服务型公司，泰科天润核心产品以碳化硅肖特基二极管为代表，其中600V/5A～50A，1200V/5A～50A和1700V/10A等系列 2020年6月16日 碳化硅器件的制备方面，个人理解主要有 1 光刻对准，相较于传统硅片，双面抛光的碳化硅晶圆是透明的，光刻对准是一个难点 2 离子注入和退火激活工艺， 碳化硅器件目前有什么生产难点？？ 知乎2021年6月11日 失效分析设备 手动 自动探针台、激光开封机、IV曲线仪，整套芯片测试方案。 8 人 赞同了该文章 [摘 要] 第三代半导体材料碳化硅 (SiC)因其禁带宽度大、 热稳定 第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 知乎
国内第三代半导体厂商（碳化硅） 知乎
2019年2月22日 泰科天润已建成国内条碳化硅器件生产线，SBD产品覆盖600V3300V的电压范围。 芯光润泽 2012年，芯光润泽通过引进海内外顶尖行业专家，组建碳化硅芯片科研技术团队，并在第三代半导体方面与 2021年12月24日 我想了解一下碳化硅的生产工艺？ 因为以后要用到大量的这种材料因此想了解一下这种材料的生产工艺。 比如，当前主流的生产工艺是什么？ 优缺点是什么？ 国 我想了解一下碳化硅的生产工艺？ 知乎2019年7月25日 碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，目前在已经形成了全球的材料、器件和应用产业链。 是高温、高频、抗辐射 三分钟了解第三代半导体材料：碳化硅（SiC） 知乎
提高标准行驶里程：博世开启碳化硅芯片大规模量产计划
1 天前 博世集团董事会成员Harald Kroeger：“博世希望成为全球领先的电动出行碳化硅（SiC）芯片生产 供应商。” 碳化硅半导体能够显著提高电动汽车的行驶里程和充电速度。预计于2021年12月启动大规模量产。自2021年初起，博世便开始生产用于客户验证的碳化硅 2020年6月16日 碳化硅 碳化硅器件目前有什么生产难点？ ？ 包括晶圆、器件、工艺（溅射、光刻、刻蚀等等）有相关的文献推荐一下嘛？ 显示全部 关注者 12 被浏览 17,865 关注问题 写回答 邀请回答 好问题 3 个回答 默认排序 与非网 已认证帐号 关注 18 人 赞同了该回答 提到碳化硅（SiC），人们的反应是其性能优势，如电气（更低阻抗/更高频率）、机 碳化硅器件目前有什么生产难点？？ 知乎2021年6月11日 失效分析设备 手动 自动探针台、激光开封机、IV曲线仪，整套芯片测试方案。 8 人 赞同了该文章 [摘 要] 第三代半导体材料碳化硅 (SiC)因其禁带宽度大、 热稳定性强、 热导率高、 抗辐射能力强等优点， 以耐高温、 高压、 高频著称， 在功率半导体领域有着广泛的应用前景而成为半导体材料的技术研究前沿和产业竞争焦点。 本文详细论述了第 第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 知乎
碳化硅：第三半导体核心材料，产业链龙头全梳理半导体材料
2022年5月10日 碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的核心。 相较于前两代材料，碳化硅具有耐高压、耐高温、低损耗等优越性能，具有较高的导热率、熔点等。 #碳化硅# 资料来源：Yole 基于碳化硅材料的半导体器件可应用于汽车、充电设备、便携式电源、通信设备、机械臂、飞行器等多个工业领域。 碳化硅材料的特性决定了它将会逐步取代传统硅基，打 2021年12月24日 我想了解一下碳化硅的生产工艺？ 因为以后要用到大量的这种材料因此想了解一下这种材料的生产工艺。 比如，当前主流的生产工艺是什么？ 优缺点是什么？ 国际上先进的生产工艺是什么？ 生产工艺的不同 显示全部 9 个回答 与非网 已认证帐号 关注 每个工程师都想要一个完美的开关，以便能在开和关两种状态之间瞬间切换，且在两种状态 我想了解一下碳化硅的生产工艺？ 知乎2022年12月15日 在外延设备方面，晶盛机电表示，公司生产的SiC碳化硅 外延设备为公司独立研发设计和生产制造，核心技术均拥有独立的知识产权，目前已实现批量销售。 季华实验室也在4月表示，由季华实验室大功率半导体研究团队自主研发的6英寸SiC高温外延 产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻
【全网最全】 2022年中国碳化硅行业上市公司全方
2022年7月11日 V c 分享到： 李佩娟 • 11:00:54 来源：前瞻产业研究院 E 10747 G 0 20232028年中国 碳化硅（SiC）功率器件 行业发展前景预测与投资战略规划分析报告 碳化硅行业主要上市公司： 目前国内 2022年5月13日 生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是单晶的生长，也是碳化硅半导体材料应用的主要技术难点，是产业链中技术密集型和资金密集型的环节。 目前，SiC单晶生长方法有物理气相传输法（PVT法）、液相法（LPE法）、高温化学气相沉积法（HTCVD法）等。 碳化硅单晶生长方法对比表 53外延片 碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一 一张图了解第三代半导体材料——碳化硅 百家号2022年6月21日 2021年7月，意法半导体宣布，在瑞典北雪平工厂成功制造出了全球批200mm（8英寸）碳化硅晶圆，这些晶圆将用于生产下一代电力电子芯片的产品原型。 而这也挑起了芯片巨头们在8英寸碳化硅领域的激烈竞争。 英飞凌彻底“坐不住了” 在意法半导体牢牢把握着碳化硅功率器件市场的同时，老对手英飞凌也不甘寂寞，对车规级碳化硅市场 碳化硅“上车”之争中国经济网——国家经济门户
耐火原材料——碳化硅的合成工艺 百家号
2020年7月4日 碳化硅有黑、绿两个品种。冶炼绿碳化硅时要求硅质原料中SiO2的含量尽可能高，杂质含量尽可能低;而生产黑碳化硅时，硅质原料中的SiO2含量可以稍低些。表1为对硅质原料的成分要求。硅质原料的粒度也是很重要的，一般可采用6#~20#混合粒度砂。1 天前 碳化硅半导体能够显著提高电动汽车的行驶里程和充电速度。 预计于2021年12月启动大规模量产。 自2021年初起，博世便开始生产用于客户验证的碳化硅芯片。 德国联邦经济事务和能源部（BMWi）出资支持进一步的技术研发。 德国罗伊特林根——碳化硅（SiC）半导体具有体积小、效率高、功率密度大的显著优势。 经过多年的研发，博世目前准备开 提高标准行驶里程：博世开启碳化硅芯片大规模量产计划2021年12月24日 我想了解一下碳化硅的生产工艺？ 因为以后要用到大量的这种材料因此想了解一下这种材料的生产工艺。 比如，当前主流的生产工艺是什么？ 优缺点是什么？ 国际上先进的生产工艺是什么？ 生产工艺的不同 显示全部 9 个回答 与非网 已认证帐号 关注 每个工程师都想要一个完美的开关，以便能在开和关两种状态之间瞬间切换，且在两种状态 我想了解一下碳化硅的生产工艺？ 知乎
产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻
2022年12月15日 国产厂商齐发力切磨抛设备 除碳化硅长晶炉设备外，被日本高鸟占据80%以上份额的碳化硅切磨抛设备，成为了上机数控、宇晶股份、大族激光、高测股份等厂商向上突围的共同选择。 今年11月，上机数控在官微表示，公司在碳化硅切割领域取得了较大突破，自行研发的碳化硅切片设备获得成功，开辟了“碳化硅设备国产替代进口”的先河。 2023年5月31日 这些设备将用于生产碳化硅的晶圆，以支持纬湃科技在该方面不断增长的业务需求。同时，作为智能电源和智能感知技术的领导者，安森美将继续大量投资于端到端的碳化硅供应链。Vitesco Technologies 2305312022年1月13日 碳化硅（SiC）材料是第三代化合物半导体的典型代表，特别是在下游需求快速成长的新能源相关应用中，我们认为SiC相比Si基材料优势明显：1）在新能源车领域，SiC器件有望解决续航里程短、补能时间长等痛点；2）在光伏发电方面，SiC器件有望提升逆变器转换效率及使用寿命。 根据Wolfspeed预测，2026年SiC相关器件市场有望达 中金 碳化硅材料：乘碳中和之东风，国内厂商奋起直追新浪
耐火原材料——碳化硅的合成工艺 百家号
2020年7月4日 以碳化硅为原料生产的粘土结合碳化硅、氧化物结合碳化硅、氮化硅结合碳化硅、重结晶碳化硅、反应烧结渗硅碳化硅等制品以及不定形耐火材料广泛应用于冶金工业的高炉、炼锌炉，陶瓷工业的窑具等。 碳化硅的合成工艺 1原料 合成碳化硅所用的原料主要是以SiO2为主成分的脉石英和石英砂，以及以C为主成分的石油焦，低档次的碳化硅也有 2020年8月21日 碳化硅粉体合成采用高纯碳粉和硅粉直接反应，通过高温合成的方法生成。 碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉体合成坩埚加热与耦合技术。 当前国外主要厂商包括Cree、Aymont等，合成粉体纯度可达999995%。 国内主要单位包括中国电科二所、山东天岳、天科合达 高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望化学2022年5月10日 生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是单晶的生长，也是碳化硅半导体材料应用的主要技术难点，是产业链中技术密集型和资金密集型的环节。 目前，SiC单晶生长方法有物理气相传输法（PVT法）、液相法（LPE法）、高温化学气相沉积法（HTCVD法）等。 碳化硅单晶生长方法对比表第三代半导体材料——碳化硅 中国粉体网
碳化硅的生产方法、性能、种类及行业应用微粉sic碳化硼
2022年2月23日 0 分享至 引言 众所周知，碳化硅是硬度很大的化合物，仅次于金刚石 (硬度15)和碳化硼 (硬度14)。 作为耐火原料使用，其用量仅次于氧化铝和氧化镁，在耐热性方面是一种很重要的物质。 碳化硅制品 (本文具体指粉末)的生产由块料生产和块料粉碎这两个工序组成。 全世界所使用的碳化硅粉末一半以上都是在中国生产 (这里所说的生产是指块料 2022年3月9日 碳化硅市场产业链主要分为晶圆衬底 制造、外延片生产、碳化硅器件研发和装备封装测试四个部分，其中碳化硅衬底是产业链的核心区域，占据市场总成本的 50%左右。 此外，碳化硅外延片和器件制造分别占据产业成本的 25%和 20%，同样是市场成本的 主要贡献者。 封测分为封装和测试两个部分，是芯片和器件完成制造后进行性能试验的重要 第三代半导体碳化硅行业深度研究报告（下篇）碳化硅器件